本文摘要:美国和意大利的研究者10日在《大自然电子》杂志上宣布,开发了基于反铁磁性材料的新磁存储装置,小型且功耗非常低,很有可能有助于解决现在人工智能(AI )发展中面临的内存瓶颈。

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美国和意大利的研究者10日在《大自然电子》杂志上宣布,开发了基于反铁磁性材料的新磁存储装置,小型且功耗非常低,很有可能有助于解决现在人工智能(AI )发展中面临的内存瓶颈。AI技术的缓慢发展将来会提高医疗、交通运输等很多领域,但其巨大潜力的充分发挥必须以充分的计算能力为基础,随着AI数据集变得更大,计算机必须有更强的内存承受能力。

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理想情况下,反对AI的存储器设备不仅需要与SRAM (静态内存)一样慢的速度,还需要DRAM (动态内存)和内存那样的存储器容量,更重要的是,消失但是,现在没有完全满足这些市场需求的存储技术,因此引起了所谓的内存瓶颈,相当允许现在的AI的性能和应用。因此,美国西北大学和意大利墨西纳大学的研究者合作,把目光投向了反铁磁性材料。反铁磁性材料依赖于磁的规则磁矩完成数据的存储,剩下的数据也无法由外部磁场读取。

由于其缓慢的安全性、功耗低,被视为存储设备的潜在材料,如何控制材料内部的磁序列成为现在的研究课题。新的研究表明,团队被用于柱状反铁磁性材料。这是以前科学家没找过的几何学形状。

有人指出,在重金属层上生长的直径800纳米以下的反铁磁性铂锰(PtMn )柱可以在极低电流下在不同的磁状态之间共轭切换。通过改变负载电流的振幅,可以构建多级存储器特性。研究者认为基于反铁磁性铂锰柱的存储设备只有现有的反铁磁性材料的存储设备的1/10,更重要的是,新设备的生产方法与现有的半导体生产规范兼容,这是著存储设备制造商研究者认为,新型磁存储装置小,功耗低,将来将把反强磁性存储器实用化到南北,协助解决问题AI的内存瓶颈问题。

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现在他们正在寻找进一步扩大设备尺寸和提高数据加载功耗的方法,希望新技术尽快实用化。

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